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一般情况下TMR更稳定。霍尔传感器在零点漂移与温度变化上影响较明显，而TMR在静态与微小磁场检测中精度更高。
会受到影响，但机制不同于霍尔。TMR对外部磁场变化更敏感，因此在高dv/dt环境中必须做好PCB布局、屏蔽设计以及远离功率回路，否则可能出现波形抖动。
可以，但需要结合具体应用。SiC系统具有高dv/dt和强EMI环境，TMR在抗磁干扰方面表现较好，但在高压隔离与系统级可靠性设计上，通常需要配合磁屏蔽或结构优化使用。
储能系统直流母线电压高、能量密度大，安全要求更严格。隔离式霍尔电流传感器可以实现一次侧与控制侧完全电气隔离，同时满足充放电双向检测需求。
上电瞬间存在磁芯残磁 + 电源建立过程 + 放大器未稳定三个叠加因素。如果没有软启动或零点校准机制，会出现短暂漂移。
并联母线会导致电流分布不均匀，不同路径磁场叠加不同。如果采样点选择不合理，会测到“局部电流”而不是“总电流”。
因为闭环结构通过补偿线圈维持“零磁通状态”，可以显著降低非线性误差和温漂。在高精度储能PCS和工业驱动中，这种稳定性比成本更重要。
滤波可以降低噪声，但也会引入相位延迟。如果滤波时间常数过大，会影响控制环动态响应，尤其是电机FOC系统。
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